晶体结构对LaGaO3基固体电解质电性能的影响

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【摘要】

：

用 Raman光谱和直流四电极法分别研究了La0.9Sr0.1Ga0.9Mg0.1O2.9(LSGM1010),LaGa0.8Mg0.2O2.9(LGM20)和La0.8Sr0.2GaO2.9(LSG20)的晶体结构和离子电导率.Raman分析显示LSGM1

【作者】

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尧巍华唐子龙罗绍华张中太李杰谭强强

【机构】

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清华大学材料科学与工程系

【出处】

：

硅酸盐学报

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

晶体结构 LaGaO3基固体电解质电性能影响 RAMAN光谱直流四电极法 lanthanum gallate crystal symmetry sol

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用 Raman光谱和直流四电极法分别研究了La0.9Sr0.1Ga0.9Mg0.1O2.9(LSGM1010),LaGa0.8Mg0.2O2.9(LGM20)和La0.8Sr0.2GaO2.9(LSG20)的晶体结构和离子电导率.Raman分析显示LSGM1010和LGM20具有对称性较高的菱方钙钛矿结构,而LSG20具有低对称性的斜方钙钛矿结构.电性能测试发现LSGM1010和LGM20有相近的离子电导率,而且都比LSG20在相同的温度下高近-个量级.结构分析发现在掺杂LaGaO3中高对称性的晶体结构有

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