【摘 要】
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创新性使用反外延法工艺,介绍了适用于制备近红外波段PIN 光电探测器的硅外延材料的研制工艺,在区熔单晶抛光片上进行重掺导电层和支撑层的外延层制备.通过对硅源流量与掺杂
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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创新性使用反外延法工艺,介绍了适用于制备近红外波段PIN 光电探测器的硅外延材料的研制工艺,在区熔单晶抛光片上进行重掺导电层和支撑层的外延层制备.通过对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂.通过精细的后期加工工艺,将高阻区熔层加工为厚度和表面质量均满足器件要求的有源层.结果显示,采用反外延法工艺得到的反外延材料片应用到PIN 光电二极管中,不仅节省器件制备中的工艺程序,而且大大提高了器件耐压性.
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