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Vishay推出采用PowerPAIR6mm×3．7mm封装和TrenchFETGenIII技术的非对称双通道TrenchFET功率MoSFET——SiZ710DT，新器件比其前一代器件的导通电阻减小43％，同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET，导通电阻低。