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近日，我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道，该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。此前，北京某企业与中科院合作，成功研制了从2英寸到6英寸的碳化硅衬底，完成了我国碳化硅半导体从无到有的过程。如今，我国第二家企业也实现了碳化硅材料大规模量产，标志着我国碳化硅材料发展逐渐走向成熟。