【摘 要】
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在半导体制造工艺流程中，浅沟道隔离（STI）工艺环节中的Si损伤一直是个困扰的问题。由于Si损伤的存在，造成5％－10％的良率损失，同时，严重影响产品的可靠性。分析了Si损伤缺陷的形成机理，并
【机 构】
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上海交通大学微电子学院,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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在半导体制造工艺流程中，浅沟道隔离（STI）工艺环节中的Si损伤一直是个困扰的问题。由于Si损伤的存在，造成5％－10％的良率损失，同时，严重影响产品的可靠性。分析了Si损伤缺陷的形成机理，并通过合理的实验设计和分析，给出了具体的解决方案。通过工艺制程的改良，既解决了Si损伤缺陷，节省了晶圆加工的时间，也减少了表面尘粒粘污。这个新工艺已经在中芯国际8厂得到了验证，对产品的电性能没有影响，同时，产品的量率还提高了5％～10％，已正式投入使用。
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