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为了及时、直接分析PCM参数异常及电路失效原因,我们在标准参数测试系统(如HP4062,Ag 4070系列)上开发了MOS C-V测试分析功能.鉴于目前MOS工艺水平不断提高,硅表面空间电荷区少子产生寿命在数百μs以上,传统C-V分析技术往往不能对参数失效电路进行有效分析.为此我们开发了一个新的C-V分析模式.给出了用此分析模式对CMOS产品的MOSC-V测试分析结果.并简要说明如何利用C-V技术分析PCM参数异常及电路失效的方法.