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ViShaY推出下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件，这些新的400V、500V和600Vn沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3～36A电流，采用多种封装。
采用高压条带技术的MOSFET
【摘 要】
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ViShaY推出下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件，这些新的400V、500V和600Vn沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3～36A电流，采用多种封装。
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2012年6期
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