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在理论分析和实验结果的基础上。建立起多晶硅发射区双极晶体管的低温(77K)模型.该模型由于考虑了低温下的多子与少子冻析效应、禁带宽度变窄效应、多晶硅发射区晶体管的发射效率增强效应及注八等器件物理效应.因而能够比较精确地模拟双极晶体管的低温电学性能.
多晶硅发射区双极晶体管低温器件模型
【摘 要】
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在理论分析和实验结果的基础上。建立起多晶硅发射区双极晶体管的低温(77K)模型.该模型由于考虑了低温下的多子与少子冻析效应、禁带宽度变窄效应、多晶硅发射区晶体管的发射
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心南京,南京,南京
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1991年10期
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