【摘 要】
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研究了用涂敷法制备碳纳米管阴极的新工艺和改善其场发射特性的新方法,裂解法获得的碳纳米管与有机粘合剂等混合、研磨,直接涂敷在Si基底上,二极管结构测量的结果表明,碳纳米
【机 构】
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西安交通大学理学院,西安交通大学电子与信息工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金，西安交通大学校科研和教改项目
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研究了用涂敷法制备碳纳米管阴极的新工艺和改善其场发射特性的新方法,裂解法获得的碳纳米管与有机粘合剂等混合、研磨,直接涂敷在Si基底上,二极管结构测量的结果表明,碳纳米管阴极有较低的开启电场(1.25～ 1.5V/μm),场强为5V/μm时,电流密度达到了42μA/cm2,F-N曲线也非常符合场发射规律.浆料中粘合剂的比例增大时,碳纳米管阴极的场发射性能会有所降低,施加外电场会改善其场发射特性.
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