【摘 要】
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本论文主要介绍高压大电流VDMOS功率晶体管的研制.这次研制的VDMOSFET,设计耐压高达600V,导通电流达到8A,导通电阻为1Ω.设计中,按照要求 ,确定外延层浓度和厚度;芯片元胞结
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本论文主要介绍高压大电流VDMOS功率晶体管的研制.这次研制的VDMOSFET,设计耐压高达600V,导通电流达到8A,导通电阻为1Ω.设计中,按照要求 ,确定外延层浓度和厚度;芯片元胞结构参数,阱掺杂浓度;器件边缘保护环,场极板参数 .在大量参阅国内外资料的基础上,我们提出新的芯片元胞设计方案,由此确定的垂直电流区宽度比以往方案缩小一个数量级,大大节约芯片面积,成功实现了把大约二万个元胞集成在一块芯片上.同时,在器件边缘终端结保护环设计中提出新思路,提高了器件可靠性,并有效减少芯片面积.
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