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综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜(a-C:F)的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能,为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导.
用于ULSI的低K氟化非晶碳膜研究
【摘 要】
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综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜(a-C:F)的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能,为开发具有新型功能的低介电常数材
【机 构】
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复旦大学电子工程系CVD室,台湾半导体制造公司（TSMC）
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2001年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金，高等院校骨干教师基金
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