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低温光致发光的研究完成了对用低压MOCVD生长的ZnS薄膜中Na受主能级的鉴别。观察到了3.781eV的中性Na受主束缚激子线及与之相关的～3.67eV带边发射带。特别是通过分时光谱实验发现了滞边发射带归因于自由-Na受主的跃迁。也通过改变生长温度及Na源的温度,研究了这些光致发光的性质。估计Na受主的离化能约为170eV,这与Baldereschi及Lipari所计算的理论值符合得很好。紫外光辐照的作用初步使得在外延生长期间Na杂质能够掺入到ZnS薄膜中去。发现了Na受主束缚激子线的强度能明显增强。