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利用全息分布振幅,通过光锥求和规则在完整QCD框架内计算了D、D_s→K^＊跃迁形状因子.由于只与带电流相关,D→K^＊衰变只涉及4个半轻类型的跃迁形状因子A_1、A_2、A_0、V.D_s→K^＊衰变既与带电流相关也与味改变中性流相关,除了上述4个跃迁形状因子外还涉及3个张量类型的跃迁形状因子T_1、T_2、T_3.整体上来看,所给出的跃迁形状因子与以前文献中通过其他方法（基于传统分布振幅的光锥求和规则、格点模拟、光前夸克模型、重轻手征夸克模型）给出的结果在误差允许的范围内基本一致.利用给出的跃迁形状因