La10（SiO4）6-x（GaO4）xO3-0.5x的合成及其导电性能

来源 :化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lifei111

【摘要】

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以溶胶-凝胶法合成前驱体，在950℃时烧结制得La10（SiO4）6-x（GaO4）xO3-0.5x（x=0，0．5，1．0，1．5和2．0）陶瓷样品，通过TG-DTA，XRD，IR和SEM表征，所得产品为磷灰石相．以电化学阻抗谱研究了其导电性能，发现

【作者】

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王贵领赵辉霍丽华高山

【机构】

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哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院,黑龙江大学化学化工与材料学院功能材料省高校重点实验室

【出处】

：

化学学报

【发表日期】

：

2008年12期

【关键词】

：

硅掺杂磷灰石溶胶-凝胶法自由氧传导间隙氧传导电化学阻抗谱 Si-doped apatite sol-gel method free oxygen i

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以溶胶-凝胶法合成前驱体，在950℃时烧结制得La10（SiO4）6-x（GaO4）xO3-0.5x（x=0，0．5，1．0，1．5和2．0）陶瓷样品，通过TG-DTA，XRD，IR和SEM表征，所得产品为磷灰石相．以电化学阻抗谱研究了其导电性能，发现决定电导率大小的因素有两种，一是间隙氧的数量，二是晶胞的大小，两种因素的综合作用，使得La10（SiO4）5（GaO4）O25的电导率最大，在700℃时其电导率达到4．66×10^-2S·cm^-1．离子迁移数和氧分压对电导率的研究表明，

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