【摘 要】
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研究了SiC薄膜的制备及其压阻特性.利用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在硅(111)晶面制备SiC薄膜,对制备的薄膜进行X射线衍射分析和其它测试.结果表明:SiC薄膜晶向取向一致,薄膜
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研究了SiC薄膜的制备及其压阻特性.利用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在硅(111)晶面制备SiC薄膜,对制备的薄膜进行X射线衍射分析和其它测试.结果表明:SiC薄膜晶向取向一致,薄膜生长速率为3 μm / h,厚度约为5 μm.同时,利用高阻仪研究该薄膜的压阻特性,测得应变量(ε)在(2~6)×10-4范围内,电阻的相对变化量(ΔR@R-1)和压阻灵敏度因子(k)随应变量(ε)的变化曲线.结果表明该薄膜有明显的压阻效应.
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