【摘 要】
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离子注入工艺作为SiC MOSFET/Diode器件制造过程的重要工艺过程,离子注入后激活退火的温度直接影响注入后晶格损伤的修复效果以及离子激活的程度,离子注入和激活退火一直是研
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,全球能源互联网研究院有限公司
【基金项目】
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国网科技项目-碳化硅高能高温离子注入关键技术研究(SGRI-GB-71-16-002)
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离子注入工艺作为SiC MOSFET/Diode器件制造过程的重要工艺过程,离子注入后激活退火的温度直接影响注入后晶格损伤的修复效果以及离子激活的程度,离子注入和激活退火一直是研究的热点和难点。本文主要研究了离子注入后激活退火温度对离子扩散至SiC/SiO2界面处的浓度的影响,离子注入在4H-SiC(0001)面进行,注入元素F,离子注入能量25 KeV,浓度5E13 cm-2,在离子注入后,分别在500℃、700℃、900℃、1100℃下进行激活退火2 min,而后通过二次离子质谱法(SIMS)分析不同
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