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以正硅酸乙酯(TEOS)/C4F8/Ar为气源,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a-SiCOF介质薄膜,并借助X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究.
等离子体增强化学气相淀积a—SiCOF薄膜的稳定性研究
【摘 要】
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以正硅酸乙酯(TEOS)/C4F8/Ar为气源,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a-SiCOF介质薄膜,并借助X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)对薄
【机 构】
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复旦大学电子工程系
【出 处】
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高技术通讯
【发表日期】
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2001年11期
【基金项目】
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国家自然科学基金，高等院校骨干教师基金
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