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在Pt^3＋：Y2SiO5（Pr：YSO）晶体中，利用施加擦除脉冲破坏原子自旋相干，通过实验演示存储光信息的擦除操作，获得了85％的擦除效率，并分析了不同擦除脉冲对存储信息擦除的影响．
不同线型的擦除脉冲对存储光信息擦除的影响
【摘 要】
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在Pt^3＋：Y2SiO5（Pr：YSO）晶体中，利用施加擦除脉冲破坏原子自旋相干，通过实验演示存储光信息的擦除操作，获得了85％的擦除效率，并分析了不同擦除脉冲对存储信息擦除的影响．
【机 构】
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长春理工大学理学院,吉林大学物理学院
【出 处】
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吉林大学学报：理学版
【发表日期】
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2008年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：60606017）.本文得到吉林大学物理学院王海华老师的帮助和指导,在此深表感谢.
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