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采用激光偏振干涉技术实现了KDP晶体柱面生长速度的实时测量，精度可达0．01μm／min。研究了不同的过饱和度控制方式对柱面死区实时测量的影响。发现晶体双折射率随温度的变化是导致光强-时间曲线中死区直线斜率不为零的原因。认为晶体生长速度与杂质离子的吸附时间有关。研究了杂质离子含量不同的两种原料在不同的溶液饱和点下的柱面生长速度和死区随过饱和度的变化关系，结合C-V模型和K—M理论讨论了其中的动力学规律。讨论了晶体光学质量与生长过饱和度的关系，认为利用激光偏振干涉系统进行溶液鉴定，将传统降温法的过饱和度控制