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研究了一种新型的化学机械抛光方法，使用以KMnO4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液（SOAS）进行化学机械抛光。研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中，SOAS溶液中KMnO。的浓度对抛光质量的影响。使用原子力显微镜（AFM）和精密电子天平，分别测试了表面粗糙度和去除率。结果表明，适量的KMnO4可以大幅度提高4H-SiC的化学机械抛光去除率，同时可提高4H-SiC衬底的表面抛光质量。