【摘 要】
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采用电子束蒸发工艺在GaAs基LED外延层上制备了氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide)薄膜,采用快速热退火(RTA:Rapid Thermo Annealing)工艺制备ITO薄膜与GaAs外延层的欧姆接触。
【基金项目】
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东华理工大学教育部核技术应用工程中心开放基金项目(HJSJYB2017-5),东华理工大学校级教学改革研究课题(DHJG-19-20)
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采用电子束蒸发工艺在GaAs基LED外延层上制备了氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide)薄膜,采用快速热退火(RTA:Rapid Thermo Annealing)工艺制备ITO薄膜与GaAs外延层的欧姆接触。研究了退火温度、退火时间对ITO薄膜性能以及LED芯片性能的影响。结果显示:固定退火时间8s时,ITO薄膜方块电阻呈减小趋势,但变化不大,430℃时为7.7Ω/□;LED芯片亮度LOP呈现非线性先上升后下降趋势,430℃时达峰值136mcd;外延片背面欧姆电阻呈现先下降后上升抛物线趋势
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