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报道了在化学增速离子束腐蚀金属有机化学汽相淀积ＧａＮ的过程中使用Ａｒ离子和ＨＣｌ气体的情况。
利用HCl气体化学增速离子束腐蚀GaN的研究
【摘 要】
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报道了在化学增速离子束腐蚀金属有机化学汽相淀积ＧａＮ的过程中使用Ａｒ离子和ＨＣｌ气体的情况。
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1996年5期
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