【摘 要】
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x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe光伏型探测器,由于它在77K能够对8～14μm大气“窗口”的辐射有高的探测率,一向受到人们极大关注。光伏型探测器的性能在相当程度上取决于它的PN结特性
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所
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x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe光伏型探测器,由于它在77K能够对8～14μm大气“窗口”的辐射有高的探测率,一向受到人们极大关注。光伏型探测器的性能在相当程度上取决于它的PN结特性。为了获得优良的PN结,应当重视研究它的电流机构、电流-电压特性以及它们与材料参数、掺杂浓度和工作温度等的关系。弄清楚影响PN结性能的主要因素,无疑地将对实际器件的研制有一定指导意义。
The Hg_ (1-x) Cd_xTe photovoltaic detector with x = 0.2 has attracted great attention due to its high detection rate of radiation at “window” of 8 ~ 14μm at 77K. The performance of a PV detector depends to a great extent on its PN junction characteristics. In order to obtain a good PN junction, it should pay attention to its current mechanism, current - voltage characteristics and their relationship with the material parameters, doping concentration and operating temperature. Clearly understand the PN junction performance of the main factors that will undoubtedly have practical significance for the development of the device.
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