论文部分内容阅读
垂直外腔面发射半导体激光器在高功率运转的同时可以保持良好的光束质量，近年来一直成为研究的热点。本文介绍了垂直外腔面发射半导体激光器的结构及运行原理。由于热管理是其高功率运行的主要限制因素之一，分析了垂直外腔面发射半导体激光器的热管理方法。使用反向生长的外延片通过化学湿法腐蚀去掉砷化镓衬底，得到了约6μm左右的外延片，最后利用808nm的泵浦光进行抽运获得了200mW的连续激光输出。