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提出了一种新型CMOS恒压源的制作方案，它基于nMOS和pMOS的饱和区栅源电压随温度变化权重不同的原理，将两者做相关运算，得到零温度系数的恒压源。该电压源没有采用二极管和寄生三极管，并用SMIC 0．18／μm数模混合工艺模型参数仿真并制造．测试结果表明，温度系数达到了44ppm／℃，PSRR为-46dB，650mV以上的电源电压就可以完全正常工作,芯片面积约为0.05mm^2。