【摘 要】
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利用天线耦合AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器的自混频和外差混频效应,分别设计并测试了340 GHz频段直接检波式和外差混频式接收机前端.通过接收机信噪比的测量和接收功率的定标,
【机 构】
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中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,安徽合肥230026;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用
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利用天线耦合AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器的自混频和外差混频效应,分别设计并测试了340 GHz频段直接检波式和外差混频式接收机前端.通过接收机信噪比的测量和接收功率的定标,得到了两种接收机的等效噪声功率.直接检波模式下探测器的响应度约为20 mA/W,直接检波模式和外差混频模式下接收机的等效噪声功率分别约为-64.6 dBm/Hz1/2和-114.79 dBm/Hz.在相同的载波功率和接收信号带宽条件下,当本振太赫兹波功率大于-7 dBm时,外差混频接收的信噪比优于直接检波的信噪比.当本振功率大于0 dBm时,外差混频接收机表现出优良的解调特性,其信噪比高出直接检波接收机的信噪比10dB以上.
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