【摘 要】
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本文采用基于第一性原理的密度泛函理论超软雁势平面波方法,对铁磁性半导体高锰硅化合物Mn4Si7进行了理论计算.结果表明块体Mn4Si7是准直接带隙半导体材料,其价带主要是由Mn
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025
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本文采用基于第一性原理的密度泛函理论超软雁势平面波方法,对铁磁性半导体高锰硅化合物Mn4Si7进行了理论计算.结果表明块体Mn4Si7是准直接带隙半导体材料,其价带主要是由Mn的3d轨道电子构成,导带主要是由Mn的3d及Si的3p轨道电子构成.相同自旋轨道下,自旋向下态的电子更容易占据较高的能级.而自旋向上态的电子对Mn4Si7的禁带宽度起主导作用.Mn4Si7的费米能级附近各轨道未被电子占满,且自旋向上态与自旋向下态电子的不对称分布使其具有了磁性.为Mn4Si7磁学特性提供主要贡献的是Mn的3d轨道电子,而Si的3p和3s轨道电子提供了一个小的贡献.
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