Mn4Si7相关论文
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了四方本征Mn4 Si7、As掺杂及Ga掺杂(同一周期不同主族进行n、p型掺杂)Mn4 Si7模型......
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,对本征Mn4Si7以及Ge,Al单掺杂和共掺杂Mn4 Si7的晶体结构,能带结构,态密度以及光学性......
采用基于密度泛函理论中第一性原理的赝势平面波法,分别对本征Mn4Si7、Cr掺杂Mn4Si7以及Cr和Mo双掺Mn4Si7的电子结构及光学性质进......
利用第一性原理,对稀土元素Ce、Pr或Nd掺杂Mn4Si7前后的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,掺杂后Mn4 Si7晶......
本文采用基于第一性原理的密度泛函理论超软雁势平面波方法,对铁磁性半导体高锰硅化合物Mn4Si7进行了理论计算.结果表明块体Mn4Si7......
基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对外廷关系Mn4Si7 （001）//Si（001）,取向关系Mn4Si7[001]//Si[001]的Mn4Si7平衡体系下的......
采用第一性原理计算方法,对本征Mn4Si7以及P和As掺杂的Mn4Si7的电子结构和光学性质进行计算解析。计算结果表明本征Mn4Si7是带隙值......
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质。计算结果表明Mn4Si7的禁带宽......
