GaN(0001)表面的电子结构研究

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【摘要】

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报道了纤锌矿WZ(wurtzite) GaN(0001)表面的电子结构研究.采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度,与以前实验结果一致.讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响.利用同步

【作者】

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谢长坤徐法强邓锐徐彭寿刘凤琴 K.Yibulaxin

【机构】

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中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;中国科学院高能物理研究所,北京,1

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2002年11期

【关键词】

：

GaN 角分辨光电发射全势线性缀加平面波电子结构

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报道了纤锌矿WZ(wurtzite) GaN(0001)表面的电子结构研究.采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度,与以前实验结果一致.讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响.利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构.通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构,与计算得到的能带结构符合得较好.根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱,确定了两个表面态的能带色散.

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