反应熔渗烧结法制备Ti3SiC2材料及其抗弯强度

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以钛、TiC、硅粉为原料,采用反应熔渗烧结法制备了Ti3SiC2材料,并对其抗弯强度及断口形貌进行了分析。结果表明:将物质的量比为1:2:0.2的钛、TiC、硅粉混合后,在1500℃烧结0.5h,能够制备出高纯致密的Ti3SiC2材料,Ti3SiC2的纯度高达97.6%,孔隙率仅为4.6%;随着Ti3SiC2材料纯度的增加,材料的抗弯强度明显提高,当Ti3SiC2材料的纯度为97.3%时,其抗弯强度达到252.5MPa断口可见大量层状Ti3SiC2颗粒,颗粒间无明显的界面。
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