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采用直流反应磁控溅射方法在P型（100）Si衬底上制备了Ta-Al—N纳米薄膜与Cu／Ta-Al—N复合膜，并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火（RTP）。用四探针电阻测试仪（VPP）、AFM、SEM—EDS、Alpha—stepIQ台阶仪和XPd）等分析测试方法对样品的形貌结构与特性进行了分析表征。实验结果表明，本实验条件下制得的Ta-Al—N纳米薄膜表面光滑；随着Al靶溅射功率的增加，Ta-Al—N薄膜中Al含量和方块电阻相应增大，均方根粗糙度降低，而沉积速率变化不大，且Ta-Al—N膜层对Cu扩散的阻