随着超大规模集成电路不断微型化与集约化的发展，特征尺寸持续减小，Cu金属互连线已取代Al成为新一代的互连材料。为了防止Cu扩散进Si......

采用磁控反应共溅射方法制备了纳米Ta—Al-N薄膜，并原位制备了Cu／Ta—Al-N薄膜，对薄膜进行了热处理。用四探针测试仪、X射线衍射仪（XRD......

采用直流磁控溅射方法在P型（100）Si衬底上制备了Cu／Ta、Cu／Ta-N和Cu／Ta-Al-N复合膜，并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火。用四探针电阻......

采用磁控反应共溅射法制备了Ta-A1-N纳米薄膜及Cu／Ta-A1-N／Si结构，并在氮气保护下对薄膜进行了快速热处理，用四探针电阻测试仪、台阶仪......

采用直流反应磁控溅射方法在P型（100）Si衬底上制备了Ta-Al—N纳米薄膜与Cu／Ta-Al—N复合膜，并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火（RTP）。......