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VDMOS器件总剂量辐照阈值电压影响因素分析

来源 :重庆三峡学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yishumi1

【摘 要】

：

介绍了利用γ射线在不同偏置电压和不同辐照温度条件下,对不同导电沟道功率VDMOS器件进行总剂量辐照实验,从而分析研究这两种情况下器件总剂量辐照阈值电压的漂移情况.根据实

【作 者】

：

熊燕 赖于树 

【机 构】

：

重庆三峡学院物理与电子工程学院

【出 处】

：

重庆三峡学院学报

【发表日期】

：

2010年3期

【关键词】

：

γ射线 VDMOS 阈值电压漂移 总剂量辐照 

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介绍了利用γ射线在不同偏置电压和不同辐照温度条件下,对不同导电沟道功率VDMOS器件进行总剂量辐照实验,从而分析研究这两种情况下器件总剂量辐照阈值电压的漂移情况.根据实验数据结合VDMOS器件物理特性分析得出：偏置电压相同时,导电沟道不同其阈值电压的漂移不同,而低温辐照则使得阈值电压漂移更加严重.

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