【摘 要】
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主要研究在SiO2衬底上利用Al诱导结晶方法生长50 nm厚的多晶Ge薄膜的过程。研究的重点主要集中在对多晶Ge薄膜进行适当的低温退火处理以及Ge和Al薄膜之间的扩散控制层精准厚
【机 构】
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佛山科学技术学院物理与光电工程学院
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主要研究在SiO2衬底上利用Al诱导结晶方法生长50 nm厚的多晶Ge薄膜的过程。研究的重点主要集中在对多晶Ge薄膜进行适当的低温退火处理以及Ge和Al薄膜之间的扩散控制层精准厚度的把握上。当把退火温度控制在325℃、AlOx扩散控制层的厚度精准到1 nm时,就可以获得多晶Ge薄膜的（111）晶向平面所占的比例超过90%。此外,通过电子背散射衍射（EBSD）测量可以证实,利用该方法生长的多晶Ge薄膜的晶体颗粒的直径有12μm之大。研究结果说明利用Al诱导结晶方法在SiO2衬底上生长的多晶Ge薄膜,如果将其
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