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在硼酸镀液中以单晶Si（111）为基底用双槽法制备Cu／Co多层膜，在镀液中分别加入了镀铜添加剂2000^#和镀钴添加剂5^#。探讨了镀层电结晶成核机理，在基础镀液中铜电结晶为三维连续成核过程，钴电结晶在较低电位下为三维连续成核，在较高电位下为三维瞬时成核过程。加入添加剂后，铜、钴电结晶均为三维瞬时成核过程。测试了Cu／Co多层膜的磁性能；添加剂能提高多层膜的磁性能，无添加剂的Cu／Co多层膜的巨磁阻（GMR）值约为5％，而在加入了添加剂后，其GMR值高达529／5。