【摘 要】
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本文采用器件仿真的方法分析了量子阱宽度对于LED光电性能的影响。结果表明：随着阱宽的增加，LED的电流密度变小；在阱宽为5nm左右时，LED的发光功率最高，但此时器件的波长位于橙色区
【机 构】
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北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室
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本文采用器件仿真的方法分析了量子阱宽度对于LED光电性能的影响。结果表明：随着阱宽的增加，LED的电流密度变小；在阱宽为5nm左右时，LED的发光功率最高，但此时器件的波长位于橙色区域内，并且此时器件的发光效率较低；在阱宽为2．5nm～3．5nn时，发光效率最大，且波长在蓝光范围内；阱宽一定时，随着电压的增加光谱有一定的蓝移现象。深入分析了发光效率及光谱变化的原因发现，束缚态能级的不同状态是导致光谱发生蓝移的原因，而俄歇复合的增强是导致器件效率下降的主要原因。
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