【摘 要】
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采用反应力场(ReaxFF)分子动力学方法模拟分别以金刚石磨粒和二氧化硅磨粒对碳化硅进行化学机械抛光时的表面微观行为,探讨了这2种硬度不同的磨粒对碳化硅表面原子的去除机制。结果表明,二氧化硅磨粒在抛光过程中相比金刚石磨粒更容易发生化学反应,主要通过持续与碳化硅表面原子成键和断键来实现原子的去除。金刚石磨粒能够使碳化硅表面更多的原子被去除,而二氧化硅能保证更好的表面质量。
【基金项目】
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上海浦江人才计划(18PJ1404200),上海海洋大学科技发展(A2-2006-00-200211),国家自然科学基金(51775329)。
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采用反应力场(ReaxFF)分子动力学方法模拟分别以金刚石磨粒和二氧化硅磨粒对碳化硅进行化学机械抛光时的表面微观行为,探讨了这2种硬度不同的磨粒对碳化硅表面原子的去除机制。结果表明,二氧化硅磨粒在抛光过程中相比金刚石磨粒更容易发生化学反应,主要通过持续与碳化硅表面原子成键和断键来实现原子的去除。金刚石磨粒能够使碳化硅表面更多的原子被去除,而二氧化硅能保证更好的表面质量。
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