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运用第一性原理下的LMTO-ASA方法计算了稀磁半导体Ga1-xFexAs(x=1,1/4,1/8)在不同磁状态下的总能量,由能量最低原理我们得到其相应的晶格常数及磁状态.
掺杂浓度对稀磁性半导体（Ga，Fe）As的晶格常数及磁性质的影响
【摘 要】
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运用第一性原理下的LMTO-ASA方法计算了稀磁半导体Ga1-xFexAs(x=1,1/4,1/8)在不同磁状态下的总能量,由能量最低原理我们得到其相应的晶格常数及磁状态.
【机 构】
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河南师范大学
【出 处】
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河南师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2004年3期
【基金项目】
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河南省高校青年骨干教师资助项目，河南省教育厅自然科学基金
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