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在应力作用下，MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化。基于MOS晶体管的这种力敏效应，采用晶体管和电阻构成压敏电桥，提出了一种新型的MOS晶体管式压力传感器。该器件在与目前最常用的压阻式压力传感器相比，继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点，大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗，使得器件性能得到整体提高。