【摘 要】
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在北京师范大学GIC41172×1.7 MV串列加速器上,利用离子激发发光(ions beam induced luminescence,IBIL)技术研究了2 MeV H~+注入ZnO的缺陷变化及473和800 K退火处理对缺
【机 构】
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北京师范大学核科学与技术学院,北京市辐射中心
【基金项目】
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国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11905010),中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2018NTST04),中国博士后科学基金(批准号:2019M650526)资助的课题.
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在北京师范大学GIC41172×1.7 MV串列加速器上,利用离子激发发光(ions beam induced luminescence,IBIL)技术研究了2 MeV H~+注入ZnO的缺陷变化及473和800 K退火处理对缺陷的恢复作用.实验表明,在2 MeV H~+的辐照下,晶体内部产生的点缺陷会快速移动、聚集成团簇,从而抑制发光.473 K退火后的受辐照ZnO晶体内仍存在着大量的缺陷和团簇,而这些缺陷和团簇作为非辐射中心抑制着ZnO晶体的发光.800 K的退火处理可以显著地分解辐照过程中
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