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Instant Internet:安全连通网络
【出 处】
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个人电脑
【发表日期】
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1995年09期
其他文献
随着MOS器件尺寸不断缩小,器件内沟道电场和电流密度激增,高电场诱生大量的界面态从而导致器件性能退化。本文研究相同工艺条件下,热载流子注入效应对不同宽长比NMOSFETS参数退化的影响。本文使用衬底电流模型,在三组应力条件下研究器件参数的退化。通过设定失效判据,进行NMOSFETS加速寿命试验,试验中当某些参数的漂移量达到失效判据规定的值,加速寿命试验过程终止。整个测试过程由程序控制,使用方便,适
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