论文部分内容阅读
全面分析了CMOS带隙基准的主要非理想因素，给出了相应的补偿方法，并以此为基础设计了一种高精度的带隙基准源电路。该电路在SMIC 0.35μm CMOS工艺条件下的后仿真结果表明，基准输出电压的温度系数为3．4ppm／℃（-40～＋125℃），电源抑制比为85dB。此带隙基准源已应用于14位D／A转换器芯片中，并参加了MPW流片，该D／A转换芯片已经通过测试。