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用网格堆积法制备SiC多孔陶瓷，以此作为增强体，用无压浸渗工艺制备45％～65％体积分数的SiC／Al基电子封装复合材料，测定25～300℃热导率和热膨胀系数。实验结果表明，增强体经高温氧化处理后能显著的改善siC／Al的浸润性能；提高浸渗温度和延长浸渗时间可以改善浸渍效果，浸渗温度在1050℃，浸渗时间5h浸渗效果最好；Mg是促进浸渗的有利因素，可有效改善铝在增强体内的渗透深度。该工艺制备的sic／Al复合材料，热膨胀系数较经典模型计值低，热导率达189W（m·K），可以较好的满足电子封袋材料