Investigation of current collapse and recovery time due to deep level defect traps inβ-Ga2O3 HEMT

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zanyunfeng

【摘要】

：

In this paper,drain current transient characteristics ofβ-Ga2O3 high electron mobility transistor(HEMT)are studied to access current collapse and recovery time

【作者】

：

R.Singh T.R.Lenka R.T.Velpula

【机构】

：

DepartmentofElectronics&,CommunicationEngineering,DepartmentofElectricalandComputerEngineering

【出处】

：

半导体学报:英文版

【发表日期】

：

2020年10期

【关键词】

：

β-Ga2O3 current collapse DEGRADATION HEMT recovery time TRAPS trapping effects

【基金项目】

：

an outcome of the collaborative R&D work undertaken in the project under the Visvesvaraya PhD Scheme of Ministry of Electronics&Information Technology,Govt.of India,being implemented by Digita

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In this paper,drain current transient characteristics ofβ-Ga2O3 high electron mobility transistor(HEMT)are studied to access current collapse and recovery time due to dynamic population and de-population of deep level traps and interface traps.An approxim

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