论文部分内容阅读
在有效质量近似框架内，采用绝热近似，计算了在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自组织量子点系统的电子结构和光学性质，计算表明系统的电子能级随量子点受限势的坟大而升高，随量子点尺寸的增大而降低，而且量子阱的宽度和量子点浸润层厚度的增加也会导致能级值有所降低，说明结构参数会使在阱中的量子点的光致发光峰波长发生相应的蓝移或红移，与已知的实验结果一致。