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采用电阻率为1.5Ω·cm、156*156的P型多晶硅片，实验对比了传统一次扩散工艺和高低温二次扩散方式所制备的PN结的杂质浓度分布、方块电阻的均匀性、载流子寿命及其太阳电池电学特性。结果显示，二次扩散的方块电阻标准方差平均值为2.06，硅片表面杂质浓度为1.65*1020/cm3，而在电池电学性能上，二次扩散较一次扩散开路电压提高了0.48%，而短路电流提高了约0.6%，电池转换效率提高了0.7%。