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采用微波光电导衰退法（μ-PCD）测试了二次阳极氧化膜和传统氧化膜钝化的中波n型HgCdTe芯片的少子寿命。利用俄歇电子能谱（AES）研究了传统方法与新方法生成的氧化膜的组分变化。结果表明二次阳极氧化能显著提高少数载流子寿命，采用此工艺制作的光导器件的信号、响应率、D^＊优于常规方法制作的器件。