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运用第一性原理的超软赝势方法研究了Si晶体中自填隙形成的多种缺陷对体Si电子结构和光学性质的影响。理论计算表明,缺陷使体Si材料的晶格常数、体积、电学和光学性质等产生了不同程度的改变,空位缺陷导致Si晶体材料吸收光谱红移。
自填隙原子对Si晶体性能影响的研究
【摘 要】
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运用第一性原理的超软赝势方法研究了Si晶体中自填隙形成的多种缺陷对体Si电子结构和光学性质的影响。理论计算表明,缺陷使体Si材料的晶格常数、体积、电学和光学性质等产生
【机 构】
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云南大学光电信息材料研究所
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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2012年10期
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