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磁控溅射法在Si（111）基底上制备了纳米Al薄膜，用高度相关函数法对薄膜的原子力显微镜图像进行分形维计算，并用四点探针法测量了薄膜电阻．结果表明，随着溅射时间的延长，薄膜表面质量提高，分形维增大，电阻率也随着分形维的增大而增大；随着退火温度的上升，薄膜表面质量下降，分形维和电阻率也随之降低．因此认为，分形维能够较好的表征薄膜表面形貌，分形维与薄膜电阻率存在对应关系，并指出用分形维可以优化溅射工艺参数．