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在高级CMOS器件中,高应力氮化硅(SiN)薄膜是增强应变的主要方法。如果要改善PMOS或NMOS器件性能,则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜。我们对相关机理进行了回顾,根据不同的淀积和工艺处理条件的组合,从而得到了张应力大于1．6 GPa和压应力大于2．9GPa的氮化硅薄膜覆盖。
用于应变硅技术的高应力SiN薄膜的开发
【摘 要】
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在高级CMOS器件中,高应力氮化硅(SiN)薄膜是增强应变的主要方法。如果要改善PMOS或NMOS器件性能,则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜。我们对相关机理进行了回顾,
【作 者】
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【机 构】
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诺发系统公司,诺发系统公司,诺发系统公司,诺发系统公司,诺发系统公司,诺发系统公司,诺发系统公司,诺发系统公司,诺发系统公司,诺发系统公司,
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2006年05期
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